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霍尔效应式位移传感器 - 新世联传感器

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更新日期:  2013-7-4 16:28:50
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   应用简介:

以下是引用片段:


早在1879年,物现学家E. H. Hall就发现把
通有电流的金属薄片置于垂直于它的 磁场中,在金属薄片的两侧面之间会产生一个电位差——霍尔电势。这种现象被后人之为“霍尔效应由于在导体中“霍尔效应”很微弱,所以一直不为人们所重视到本世纪四十 年代后期,半导体技术的不断发展,才发现霍尔效应在纯度半导体中极为显著。由此人们 对霍尔效应的研究和应用逐步重视起来。并将霍尔效应传感器技术中。 


接触式
霍尔位移感器

工作原理   取—块半导体长为lb厚度d的半导体置于场强度为B的外场 中,当有电流I流过时,则半导体中的电子将受到垂Bl方向的洛伦兹力F的作 用。如1.12.1所示,电子在F的作下被椎向半导体的一侧,并在该侧面上形成电子 积累,在另一形成正电荷积积累,从而在半导体两面之间 形成电场E此电场产生阻止电子继续向该侧面移动的 电场力F电子所受的电 场力F与洛伦兹力大小 相等时则电子积累达到动态 平衡,在半导体两侧面 之间建立起的电场E所对应的电势就称之为“尔电势”


霍尔位移传感器
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霍尔位移传感器
霍尔位移传感器
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