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解决方案与产品应用
霍尔效应式位移传感器 - 新世联传感器
更新时间:2013-07-04 16:28:50
下载资料应用介绍
以下是引用片段:
工作原理 取—块半导体长为l、b、厚度d的半导体置于场强度为B的外磁场 中,当有电流I流过时,则半导体中的电子将受到垂直于B和l方向的洛伦兹力F的作 用。如图1.12.1所示,电子在F的作用下被椎向半导体的一侧,并在该侧面上形成电子 积累,在另一侧形成正电荷积积累,从而在半导体两侧面之间 形成静电场E。此电场产生阻止电子继续向该侧面移动的 电场力F。当电子所受的电 场力F与洛伦兹力大小 相等时,则电子积累达到动态 平衡。这时,在半导体两侧面 之间建立起的电场E所对应的电势就称之为“霍尔电势”。 |