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霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果

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更新日期: 2013-9-23 11:13:40
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TAG:气体传感器

一、霍尔元件的基本工作原理

)霍尔效应

2- 32 所示的半导体薄片, 若在它的两端通以控制电流I, 在薄片的垂直方向上施加磁

感应强度为的磁场,则在薄片的另两侧会产生一个大小与控制电流和磁感应强度B 的

乘积成比例的电动势UH , 这个电动势称为霍尔电势。这一现象称为霍尔效应。该半导体薄片称为霍尔元件。

)基本原理

霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果。假设在型半导体薄片上通以电流I如图2-32
 
所示,则半导体中的载流子〈电子〉沿着和电流相反的方向运动(电子速度为v) 
由于在垂直于半导体薄片平面
的方向上施加磁感应强度为的磁场,所以电子受到洛伦兹力
fL的作用,向一边偏转(见图2- 32 中虚线方向)
使该边形成电子积累,而另一边则为正电荷积累,于是形成电场。

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